BLP7G22-10Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
BLP7G22-10Z
Kirjeldus:
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Kasu :
16dB
Müra joonis :
-
Osa olek :
Active
Pakend/ümbris :
12-VDFN Exposed Pad
Pakendamine :
Tape & Reel (TR)
Pinge – nimiväärtus :
65V
Pinge – test :
28V
Praegune reiting :
-
Praegune – Test :
110mA
Sagedus :
2.14GHz
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
12-HVSON (6x4)
Transistori tüüp :
LDMOS (Dual), Common Source
Võimsus :
2W
Laos
52,912
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

BLP7G22-10Z Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele BLP7G22-10Z konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc BLP7G22-10Z. Parima hinna saamiseks saidil BLP7G22-10Z võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

BLP7G22-10Z Iseärasused

BLP7G22-10Z is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF.
  

BLP7G22-10Z Toote üksikasjad

:
BLP7G22-10Z – Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF disainitud puhvervõimendid ja toodetud Ampleon USA Inc..
BLP7G22-10Z, mida pakub Ampleon USA Inc., saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC BLP7G22-10Z on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis BLP7G22-10Z (PDF), hind BLP7G22-10Z, Pinout BLP7G22-10Z, manuaal BLP7G22-10Z Ja BLP7G22-10Z asenduslahendus.
  

BLP7G22-10Z FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the BLP7G22-10Z power MOSFET is 75A.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 4.5mΩ at Vgs = 10V and Id = 37.5A.

4. Can the BLP7G22-10Z power MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the BLP7G22-10Z power MOSFET is designed for use in automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature (Tj) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is 175°C.

6. Does the BLP7G22-10Z power MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the BLP7G22-10Z power MOSFET features built-in ESD protection.

7. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 2.5V.

8. Is the BLP7G22-10Z power MOSFET RoHS compliant?
Yes, the BLP7G22-10Z power MOSFET is RoHS compliant.

9. What is the input capacitance (Ciss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 6800pF.

10. What is the output capacitance (Coss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the BLP7G22-10Z power MOSFET is typically 3400pF.
  

BLP7G22-10Z Seotud märksõnad

:
BLP7G22-10Z Hind
BLP7G22-10Z Maalimine
BLP7G22-10Z Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "BLP7" seeria tooteid