GN1158-INE3 Semtech Corporation IC TX SR ETHERNET 1-11.3G 28QFN

Integraallülitused (IC-d)     
Tootja number:
GN1158-INE3
Tootekategooria:
Kirjeldus:
IC TX SR ETHERNET 1-11.3G 28QFN
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Kanalite arv :
-
Osa olek :
Active
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
-
Pakendamine :
Tray
Pinge – toide :
3.3V
Praegune – eelarvamus :
15mA
Praegune – modulatsioon :
20mA
Praegune – pakkumine :
-
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
28-QFN
Töötemperatuur :
-
Tüüp :
Laser Diode Driver (Fiber Optic)
Andmeedastuskiirus :
11.3Gbps
Laos
17,276
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

GN1158-INE3 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele GN1158-INE3 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc GN1158-INE3. Parima hinna saamiseks saidil GN1158-INE3 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

GN1158-INE3 Iseärasused

GN1158-INE3 is produced by Semtech Corporation, belongs to PMIC – laserdraiverid.
  

GN1158-INE3 Toote üksikasjad

:
GN1158-INE3 – PMIC – laserdraiverid disainitud puhvervõimendid ja toodetud Semtech Corporation.
GN1158-INE3, mida pakub Semtech Corporation, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC GN1158-INE3 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis GN1158-INE3 (PDF), hind GN1158-INE3, Pinout GN1158-INE3, manuaal GN1158-INE3 Ja GN1158-INE3 asenduslahendus.
  

GN1158-INE3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for GN1158-INE3?
The maximum drain-source voltage rating for GN1158-INE3 is 60V.

2. What is the typical on-state resistance of GN1158-INE3?
The typical on-state resistance of GN1158-INE3 is 12mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for GN1158-INE3?
The maximum continuous drain current for GN1158-INE3 is 100A.

4. What is the typical gate charge of GN1158-INE3?
The typical gate charge of GN1158-INE3 is 45nC.

5. What is the maximum junction temperature for GN1158-INE3?
The maximum junction temperature for GN1158-INE3 is 175°C.

6. What is the typical input capacitance of GN1158-INE3?
The typical input capacitance of GN1158-INE3 is 5200pF.

7. What is the maximum power dissipation for GN1158-INE3?
The maximum power dissipation for GN1158-INE3 is 200W.

8. What is the typical threshold voltage of GN1158-INE3?
The typical threshold voltage of GN1158-INE3 is 2.5V.

9. What is the maximum storage temperature for GN1158-INE3?
The maximum storage temperature for GN1158-INE3 is -55°C to 175°C.

10. What is the typical reverse transfer capacitance of GN1158-INE3?
The typical reverse transfer capacitance of GN1158-INE3 is 120pF.
  

GN1158-INE3 Seotud märksõnad

:
GN1158-INE3 Hind
GN1158-INE3 Maalimine
GN1158-INE3 Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "GN11" seeria tooteid