BLF7G10LS-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
BLF7G10LS-250,112
Kirjeldus:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Kasu :
19.5dB
Müra joonis :
-
Osa olek :
Active
Pakend/ümbris :
SOT-502B
Pakendamine :
Tube
Pinge – nimiväärtus :
65V
Pinge – test :
30V
Praegune reiting :
-
Praegune – Test :
1.8A
Sagedus :
920MHz ~ 960MHz
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
SOT502B
Transistori tüüp :
LDMOS
Võimsus :
60W
Laos
17,404
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

BLF7G10LS-250,112 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele BLF7G10LS-250,112 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc BLF7G10LS-250,112. Parima hinna saamiseks saidil BLF7G10LS-250,112 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

BLF7G10LS-250,112 Iseärasused

BLF7G10LS-250,112 is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF.
  

BLF7G10LS-250,112 Toote üksikasjad

:
BLF7G10LS-250,112 – Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF disainitud puhvervõimendid ja toodetud Ampleon USA Inc..
BLF7G10LS-250,112, mida pakub Ampleon USA Inc., saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC BLF7G10LS-250,112 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis BLF7G10LS-250,112 (PDF), hind BLF7G10LS-250,112, Pinout BLF7G10LS-250,112, manuaal BLF7G10LS-250,112 Ja BLF7G10LS-250,112 asenduslahendus.
  

BLF7G10LS-250,112 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage of the BLF7G10LS-250,112?
The maximum drain-source voltage of the BLF7G10LS-250,112 is 65 volts.

2. What is the typical input capacitance of the BLF7G10LS-250,112?
The typical input capacitance of the BLF7G10LS-250,112 is 1800 picofarads.

3. What is the maximum drain current of the BLF7G10LS-250,112?
The maximum drain current of the BLF7G10LS-250,112 is 10 amperes.

4. What is the typical power gain of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz?
The typical power gain of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz is 14 dB.

5. What is the typical output power at 1 dB compression point for the BLF7G10LS-250,112?
The typical output power at 1 dB compression point for the BLF7G10LS-250,112 is 30 watts.

6. What is the typical efficiency of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz and 30 watts output power?
The typical efficiency of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz and 30 watts output power is 60%.

7. What is the recommended operating voltage for the BLF7G10LS-250,112?
The recommended operating voltage for the BLF7G10LS-250,112 is 32 volts.

8. What is the typical thermal resistance from junction to case of the BLF7G10LS-250,112?
The typical thermal resistance from junction to case of the BLF7G10LS-250,112 is 0.9 degrees Celsius per watt.

9. What is the storage temperature range for the BLF7G10LS-250,112?
The storage temperature range for the BLF7G10LS-250,112 is -65 to 150 degrees Celsius.

10. What is the typical input return loss at 2 GHz for the BLF7G10LS-250,112?
The typical input return loss at 2 GHz for the BLF7G10LS-250,112 is 12 dB.
  

BLF7G10LS-250,112 Seotud märksõnad

:
BLF7G10LS-250,112 Hind
BLF7G10LS-250,112 Maalimine
BLF7G10LS-250,112 Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "BLF7" seeria tooteid