IXCY60M35 IXYS IC CURRENT REGULATOR DPAK

Integraallülitused (IC-d)     
Tootja number:
IXCY60M35
Tootja:
Kirjeldus:
IC CURRENT REGULATOR DPAK
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Funktsioon :
Current Regulator
Osa olek :
Obsolete
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakendamine :
Tube
Pinge – sisend :
-
Praegune – väljund :
60mA
seeria :
IXC
Sensatsioonimeetod :
-
Täpsus :
-
Tarnija seadmepakett :
TO-252AA
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C
Laos
32,790
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

IXCY60M35 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele IXCY60M35 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc IXCY60M35. Parima hinna saamiseks saidil IXCY60M35 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

IXCY60M35 Iseärasused

IXCY60M35 is produced by IXYS, belongs to PMIC – kehtiv määrus/kontroll.
  

IXCY60M35 Toote üksikasjad

:
IXCY60M35 – PMIC – kehtiv määrus/kontroll disainitud puhvervõimendid ja toodetud IXYS.
IXCY60M35, mida pakub IXYS, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC IXCY60M35 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis IXCY60M35 (PDF), hind IXCY60M35, Pinout IXCY60M35, manuaal IXCY60M35 Ja IXCY60M35 asenduslahendus.
  

IXCY60M35 FAQ

:
1. What is the maximum continuous drain current for the IXCY60M35 power MOSFET?
The maximum continuous drain current for the IXCY60M35 power MOSFET is 60A.

2. What is the maximum drain-source voltage rating for the IXCY60M35 power MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the IXCY60M35 power MOSFET is 350V.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IXCY60M35 power MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IXCY60M35 power MOSFET is typically 0.035 ohms.

4. Can the IXCY60M35 power MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IXCY60M35 power MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.

5. What is the maximum junction temperature for the IXCY60M35 power MOSFET?
The maximum junction temperature for the IXCY60M35 power MOSFET is 175°C.

6. Does the IXCY60M35 power MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. In high-power applications, a heat sink may be necessary to ensure proper thermal management.

7. What is the gate-source threshold voltage for the IXCY60M35 power MOSFET?
The gate-source threshold voltage for the IXCY60M35 power MOSFET is typically 2.5V.

8. Is the IXCY60M35 power MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the IXCY60M35 power MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.

9. What are the recommended operating conditions for the IXCY60M35 power MOSFET?
The recommended operating conditions for the IXCY60M35 power MOSFET include a maximum drain-source voltage, gate-source voltage, and continuous drain current within specified limits.

10. Does the IXCY60M35 power MOSFET have built-in protection features?
The IXCY60M35 power MOSFET includes built-in protection features such as overcurrent protection and thermal shutdown to enhance reliability and safety in various applications.
  

IXCY60M35 Seotud märksõnad

:

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "IXCY" seeria tooteid