NPT1012B M/A-Com Technology Solutions HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
NPT1012B
Kirjeldus:
HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Kasu :
13dB
Müra joonis :
-
Osa olek :
Active
Pakend/ümbris :
-
Pakendamine :
Tray
Pinge – nimiväärtus :
100V
Pinge – test :
28V
Praegune reiting :
-
Praegune – Test :
225mA
Sagedus :
0Hz ~ 4GHz
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
-
Transistori tüüp :
HEMT
Võimsus :
-
Laos
58,042
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

NPT1012B Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele NPT1012B konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc NPT1012B. Parima hinna saamiseks saidil NPT1012B võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

NPT1012B Iseärasused

NPT1012B is produced by M/A-Com Technology Solutions, belongs to Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF.
  

NPT1012B Toote üksikasjad

:
NPT1012B – Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - RF disainitud puhvervõimendid ja toodetud M/A-Com Technology Solutions.
NPT1012B, mida pakub M/A-Com Technology Solutions, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC NPT1012B on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis NPT1012B (PDF), hind NPT1012B, Pinout NPT1012B, manuaal NPT1012B Ja NPT1012B asenduslahendus.
  

NPT1012B FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for NPT1012B?
The maximum drain-source voltage rating for NPT1012B is 100V.

2. What is the continuous drain current rating for NPT1012B?
The continuous drain current rating for NPT1012B is 75A.

3. What is the on-resistance (RDS(on)) of NPT1012B at a specified gate-source voltage and drain current?
At a gate-source voltage of 10V and a drain current of 50A, the on-resistance (RDS(on)) of NPT1012B is typically 4.5mΩ.

4. What is the gate threshold voltage for NPT1012B?
The gate threshold voltage for NPT1012B typically ranges from 2.0V to 4.0V.

5. What is the maximum junction temperature for NPT1012B?
The maximum junction temperature for NPT1012B is 175°C.

6. What is the typical input capacitance of NPT1012B?
The typical input capacitance of NPT1012B is 5200pF.

7. What is the total gate charge of NPT1012B at a specified gate-source voltage?
At a gate-source voltage of 10V, the total gate charge of NPT1012B is typically 60nC.

8. What is the reverse recovery time of the body diode in NPT1012B?
The reverse recovery time of the body diode in NPT1012B is typically 38ns.

9. What is the maximum power dissipation of NPT1012B in an operating environment?
The maximum power dissipation of NPT1012B in an operating environment is 300W.

10. What are the recommended storage conditions for NPT1012B?
NPT1012B should be stored in a dry and clean environment with a temperature range of -55°C to 150°C and a relative humidity not exceeding 75%.
  

NPT1012B Seotud märksõnad

:

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "NPT1" seeria tooteid