FP0100N8-G Microchip Technology IC PWR MGMT SWITCH SOT89-3

Integraallülitused (IC-d)     
Tootja number:
FP0100N8-G
Kirjeldus:
IC PWR MGMT SWITCH SOT89-3
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Funktsioon :
Current Switch
Osa olek :
Active
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
TO-243AA
Pakendamine :
Tape & Reel (TR)
Pinge – sisend :
0 V ~ 100 V
Praegune – väljund :
260mA
seeria :
-
Sensatsioonimeetod :
High-Side
Täpsus :
-
Tarnija seadmepakett :
TO-243AA (SOT-89)
Töötemperatuur :
-40°C ~ 125°C
Laos
31,947
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

FP0100N8-G Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele FP0100N8-G konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc FP0100N8-G. Parima hinna saamiseks saidil FP0100N8-G võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

FP0100N8-G Iseärasused

FP0100N8-G is produced by Microchip Technology, belongs to PMIC – kehtiv määrus/kontroll.
  

FP0100N8-G Toote üksikasjad

:
FP0100N8-G – PMIC – kehtiv määrus/kontroll disainitud puhvervõimendid ja toodetud Microchip Technology.
FP0100N8-G, mida pakub Microchip Technology, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC FP0100N8-G on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis FP0100N8-G (PDF), hind FP0100N8-G, Pinout FP0100N8-G, manuaal FP0100N8-G Ja FP0100N8-G asenduslahendus.
  

FP0100N8-G FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the FP0100N8-G MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the FP0100N8-G MOSFET is 80V.

2. What is the continuous drain current rating of the FP0100N8-G MOSFET?
The continuous drain current rating of the FP0100N8-G MOSFET is 100A.

3. Can the FP0100N8-G MOSFET be used in high-temperature applications?
Yes, the FP0100N8-G MOSFET is designed to operate in high-temperature environments with a maximum junction temperature of 175°C.

4. What is the on-resistance (RDS(on)) of the FP0100N8-G MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the FP0100N8-G MOSFET is typically 1.8mΩ at VGS = 10V.

5. Does the FP0100N8-G MOSFET require a heat sink for normal operation?
It is recommended to use a heat sink for the FP0100N8-G MOSFET to ensure optimal thermal performance, especially in high-current applications.

6. What is the gate-source threshold voltage of the FP0100N8-G MOSFET?
The gate-source threshold voltage of the FP0100N8-G MOSFET is typically 2.5V.

7. Is the FP0100N8-G MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the FP0100N8-G MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.

8. What is the input capacitance of the FP0100N8-G MOSFET?
The input capacitance of the FP0100N8-G MOSFET is typically 6800pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.

9. Can the FP0100N8-G MOSFET be used in switching power supply designs?
Yes, the FP0100N8-G MOSFET is well-suited for switching power supply designs due to its low on-resistance and high current capability.

10. What package type is the FP0100N8-G MOSFET available in?
The FP0100N8-G MOSFET is available in a TO-220 package for easy mounting and thermal management.
  

FP0100N8-G Seotud märksõnad

:
FP0100N8-G Hind
FP0100N8-G Maalimine
FP0100N8-G Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "FP01" seeria tooteid