KSD1222TU ON Semiconductor TRANS NPN DARL 40V 3A I-PAK

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
KSD1222TU
Kirjeldus:
TRANS NPN DARL 40V 3A I-PAK
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
1000 @ 3A, 2V
Osa olek :
Obsolete
Paigaldustüüp :
Through Hole
Pakend/ümbris :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakendamine :
Tube
Pinge – kollektori emitteri rike (maksimaalne) :
40V
Praegune – kollektori katkestus (maksimaalne) :
20µA (ICBO)
Sagedus – üleminek :
-
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
I-PAK
Töötemperatuur :
150°C (TJ)
Transistori tüüp :
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
1.5V @ 4mA, 2A
Võimsus – max :
1W
Vool – koguja (Ic) (maksimaalne) :
3A
Laos
44,452
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

KSD1222TU Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele KSD1222TU konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc KSD1222TU. Parima hinna saamiseks saidil KSD1222TU võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

KSD1222TU Iseärasused

KSD1222TU is produced by ON Semiconductor, belongs to Transistorid – bipolaarsed (BJT) – ühekordsed.
  

KSD1222TU Toote üksikasjad

:
KSD1222TU – Transistorid – bipolaarsed (BJT) – ühekordsed disainitud puhvervõimendid ja toodetud ON Semiconductor.
KSD1222TU, mida pakub ON Semiconductor, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC KSD1222TU on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis KSD1222TU (PDF), hind KSD1222TU, Pinout KSD1222TU, manuaal KSD1222TU Ja KSD1222TU asenduslahendus.
  

KSD1222TU FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for the KSD1222TU transistor?
The maximum collector current (IC) rating for the KSD1222TU transistor is 3 amperes.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the KSD1222TU transistor?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the KSD1222TU transistor is 60 volts.

3. What is the power dissipation (PD) of the KSD1222TU transistor?
The power dissipation (PD) of the KSD1222TU transistor is 1 watt.

4. What is the DC current gain (hFE) range for the KSD1222TU transistor?
The DC current gain (hFE) range for the KSD1222TU transistor is 40 to 320.

5. What is the storage temperature range for the KSD1222TU transistor?
The storage temperature range for the KSD1222TU transistor is -55°C to +150°C.

6. What is the thermal resistance junction to ambient (RθJA) for the KSD1222TU transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RθJA) for the KSD1222TU transistor is 83°C/W.

7. What is the package type of the KSD1222TU transistor?
The package type of the KSD1222TU transistor is TO-220F.

8. Is the KSD1222TU transistor RoHS compliant?
Yes, the KSD1222TU transistor is RoHS compliant.

9. What is the typical input capacitance (Ciss) of the KSD1222TU transistor?
The typical input capacitance (Ciss) of the KSD1222TU transistor is 300 picofarads.

10. What is the recommended mounting torque for the KSD1222TU transistor?
The recommended mounting torque for the KSD1222TU transistor is 0.5 N·m.
  

KSD1222TU Seotud märksõnad

:

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "KSD1" seeria tooteid