MUN5111T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Diskreetsed pooljuhid

Tootja number:

MUN5111T1G

Tootja:

ON Semiconductor

Tootekategooria:

Transistorid – bipolaarsed (BJT) – üksikud, eelpingestatud

Kirjeldus:

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

RoHs olek:

Pliivaba / RoHS-iga ühilduv

Andmetabelid:

MUN5111T1G Andmetabelid(PDF)

Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :

35 @ 5mA, 10V

Osa olek :

Active

Paigaldustüüp :

Surface Mount

Pakend/ümbris :

SC-70, SOT-323

Pakendamine :

Tape & Reel (TR)

Pinge – kollektori emitteri rike (maksimaalne) :

50V

Praegune – kollektori katkestus (maksimaalne) :

500nA

Sagedus – üleminek :

seeria :

Takisti – alus (R1) :

10 kOhms

Takisti – emitteri alus (R2) :

10 kOhms

Tarnija seadmepakett :

SC-70-3 (SOT323)

Transistori tüüp :

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

250mV @ 300µA, 10mA

Võimsus – max :

202mW

Vool – koguja (Ic) (maksimaalne) :

100mA

Laos

44,313

Ühiku hind:

Võtke meiega ühendust Pakkumine

MUN5111T1G Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele MUN5111T1G konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc MUN5111T1G. Parima hinna saamiseks saidil MUN5111T1G võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake

MUN5111T1G Iseärasused

MUN5111T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Transistorid – bipolaarsed (BJT) – üksikud, eelpingestatud.

MUN5111T1G Toote üksikasjad

MUN5111T1G – Transistorid – bipolaarsed (BJT) – üksikud, eelpingestatud disainitud puhvervõimendid ja toodetud ON Semiconductor.
MUN5111T1G, mida pakub ON Semiconductor, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC MUN5111T1G on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis MUN5111T1G (PDF), hind MUN5111T1G, Pinout MUN5111T1G, manuaal MUN5111T1G Ja MUN5111T1G asenduslahendus.

MUN5111T1G FAQ

1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G?
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.

3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.

4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.

5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.

6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.

7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.

8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.

9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.

10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.

MUN5111T1G Seotud märksõnad

MUN5111T1G Hind

MUN5111T1G Andmeleht

MUN5111T1G Maalimine

MUN5111T1G PDF

MUN5111T1G Tehniline kirjeldus

MUN5111T1G Tihvtide pinge

MUN5111T1G Pakkuja

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.