BGD814,112 NXP USA Inc. IC AMP GAIN PWR 860MHZ SOT115J

Integraallülitused (IC-d)     
Tootja number:
BGD814,112
Tootja:
Kirjeldus:
IC AMP GAIN PWR 860MHZ SOT115J
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
-3 db ribalaius :
-
Osa olek :
Obsolete
Paigaldustüüp :
-
Pakend/ümbris :
SOT-115J
Pakendamine :
Bulk
Pinge – toide, üks/kaks (±) :
-
Pöördekiirus :
-
Praegune – pakkumine :
395mA
Praegune – väljund / kanal :
-
Rakendused :
CATV
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
SOT115J
Väljundi tüüp :
-
Vooluahelate arv :
1
Laos
25,603
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

BGD814,112 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele BGD814,112 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc BGD814,112. Parima hinna saamiseks saidil BGD814,112 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

BGD814,112 Iseärasused

BGD814,112 is produced by NXP USA Inc., belongs to Lineaarne - Võimendid - Videomoodulid ja moodulid.
  

BGD814,112 Toote üksikasjad

:
BGD814,112 – Lineaarne - Võimendid - Videomoodulid ja moodulid disainitud puhvervõimendid ja toodetud NXP USA Inc..
BGD814,112, mida pakub NXP USA Inc., saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC BGD814,112 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis BGD814,112 (PDF), hind BGD814,112, Pinout BGD814,112, manuaal BGD814,112 Ja BGD814,112 asenduslahendus.
  

BGD814,112 FAQ

:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for BGD814,112?
The maximum continuous collector current (IC) for BGD814,112 is 1 A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD814,112?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD814,112 is 80 V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BGD814,112?
The maximum power dissipation (Ptot) for BGD814,112 is 12 W.

4. What is the DC current gain (hFE) for BGD814,112?
The DC current gain (hFE) for BGD814,112 is typically 100.

5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD814,112?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD814,112 is 83 °C/W.

6. What is the storage temperature range for BGD814,112?
The storage temperature range for BGD814,112 is -65°C to +150°C.

7. What is the operating temperature range for BGD814,112?
The operating temperature range for BGD814,112 is -55°C to +150°C.

8. What is the input capacitance (Ciss) for BGD814,112?
The input capacitance (Ciss) for BGD814,112 is 1800 pF.

9. What is the output capacitance (Coss) for BGD814,112?
The output capacitance (Coss) for BGD814,112 is 250 pF.

10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) for BGD814,112?
The reverse transfer capacitance (Crss) for BGD814,112 is 50 pF.
  

BGD814,112 Seotud märksõnad

:
BGD814,112 Hind
BGD814,112 Maalimine
BGD814,112 Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "BGD8" seeria tooteid